КРЕМНИЙ: нускалардын айырмасы

Кыргыз Энциклопедия жана Терминология Борбору дан
Навигацияга өтүү Издөөгө өтүү
No edit summary
No edit summary
 
1 сап: 1 сап:
<b type='title'>КРЕ&#769;МНИЙ</b> (лат. Silicium), Si – элементтердин
<b type='title'>КРЕ&#769;МНИЙ</b> (лат. Silicium), Si – элементтердин
мезгилдик системасынын IV тобунда жайгашкан химиялык элемент, ат. н. 14, атомдук  массасы  28,086. Табиятта  үч изотоптун аралашмасынан турат: <sup>28</sup>Si, <sup>29</sup>Si
мезгилдик системасынын IV тобунда жайгашкан химиялык элемент, атомдук  номери 14, атомдук  массасы  28,086. Табиятта  үч изотоптун аралашмасынан турат: <sup>28</sup>Si, <sup>29</sup>Si
жана <sup>30</sup>Si. Кремнийдин майда күкүмдөрү боз, ири крис&shy;таллдары күңүрт кара. Табиятта таралышы боюнча 2-орунда (кычкылтектен кийинки) турат. 1825-ж. <i>Берцелиус</i> фтордуу кремнийди SiF<sub>4 </sub>калий менен  калыбына келтирүүдөн жаңы элемент ачып, аны  силиций деп атаган. Жер кыртышындагы кремнийдин  12%и SiO<sub>2 </sub>– кремнезём, 75%и татаал кычкыл&shy;тектүү бирикмелери (чопо, талаа шпаты, сла&shy;нец, слюда ж. б.) түрүндө кездешет. Кристалл&shy;дык кремний – тыгыздыгы  2,33 <i>г/см</i><sup>3</sup>, балкып эрүү t 1417°С  ж-а кайноо t 2600°С болгон катуу зат. Кремний  көп&shy;чүлүк бирикмелеринде IV валенттүү: SiH<sub>4</sub>, SiF<sub>4</sub>, SiO<sub>2</sub>, Si<sub>3</sub>N<sub>4 </sub>ж. б., II валенттүү да SiО боло алат. Кычкылтек  м-н  кремний  кош оксидин SiO<sub>2</sub>, оксидин SiO, галогендер м-н галогениддерди SiХ<sub>4</sub>, суу&shy;тек м-н силандарды Si<sub><i>n</i></sub>H<sub>2</sub><sub><i>n</i></sub><sub>+2 </sub>(жалпы форму&shy;ласы), металлдар м-н силициддерди – кыйын&shy;дык м-н эриген заттарды пайда кылат. Бөлмө температу расында майдаланган кремний м-н  фтор гана реак&shy;цияга кире алат: Si + 2F<sub>2 </sub>= SiF<sub>4</sub>. Кремний  хлор м-н  400–600°Cде, көмүртек ж-а азот м-н өтө жо&shy;горку температурада аракеттенет. Кадимки шартта кремнийге кислоталар таасир этпейт. Кремний    щелочтор м-н аракеттенип, суутекти ж-а силикаттарды пай&shy;да кылат: Si + 2NaOH + H<sub>2</sub>O = Na<sub>2</sub>SiO<sub>3 </sub>+ 2H<sub>2</sub>. Кремний кычкылтек м-н –Si–O–Si–O– сыяктуу узун чынжырларды пайда кылган туруктуу бирик&shy;мелери кеңири таралган. Мисалы, табигый ж-а синтез жолу  м-н алынган силикаттар. Анын мо&shy;лекуласында ар бир кремний  атому төрт кычкылтек атому м-н жөнөкөй байланыш түзөт. Ошол эле учурда ар бир кычкылтек атому кремнийдин эки ато&shy;му м-н байланышат. Натыйжада полимердик түзүлүштөгү химиялык  бирикме – SiO<sub>2 </sub>пайда болот. Ал – кыйындык м-н эрүүчү, кадимки шартта катуу зат. Кремнийдин 95–98% техникалык  түрү арзан сырьё –кремнезёмду (SiO<sub>2</sub>) жогорку темп-рада көмүртек м-н калыбына келтирүүдөн алынат: SiO<sub>2</sub>+2C =Si+2CO. Ал эми өзгөчө таза кремний алуу үчүн техникалык кремний жеңил учма бирикмелерге SiCl<sub>4</sub>, SiI<sub>4 </sub>ж. б. өткөрүлөт да, бир нече жолу буулантуу ж-а муз&shy;датуудан кийин тазаланган бирикме жогорку температурада суутек же чаң түрүндөгү цинк м-н калыбына келтирилет. Кремний жарым өткөргүч тех&shy;никада, электроникада, электр-техникасында негизги материал катары кызмат кылса, күн ба&shy;тареясы катары космос кемелерин электр энер&shy;гиясы м-н камсыз кылат. Чоюн ж-а болотко алардын механикалык  касиеттерин жакшыртуу үчүн ко&shy;шулат. Карборунддан SiC жасалган кайрак таштар катуулугу огюнча алмаздан кийин турат. Кремнийдин оргганикалык  бирикмелеринен жасалган мате&shy;риалдар жогорку температурага чыдамдуу, электр изолятору катары суу чөйрөсүндө да мыкты ка&shy;сиеттерге ээ. Кремнийдин органикалык бирикмелеринен алын&shy;ган майлоочу майлар өтө жогорку ж-а  өтө тө&shy;мөнкү температурада баштапкы касиеттерин өз&shy;гөртпөстөн сактап калат. Мындай майлар – 20–30 <i>км</i> бийиктикте учкан реактивдүү самолёттор&shy;дун кыймылдаткычтарын майлоо үчүн алмаш&shy;кыс материал.
жана <sup>30</sup>Si. Кремнийдин майда күкүмдөрү боз, ири крис&shy;таллдары күңүрт кара. Табиятта таралышы боюнча 2-орунда (кычкылтектен кийинки) турат. 1825-ж. <i>Берцелиус</i> фтордуу кремнийди SiF<sub>4 </sub>калий менен  калыбына келтирүүдөн жаңы элемент ачып, аны  силиций деп атаган. Жер кыртышындагы кремнийдин  12%и SiO<sub>2 </sub>– кремнезём, 75%и татаал кычкыл&shy;тектүү бирикмелери (чопо, талаа шпаты, сла&shy;нец, слюда ж. б.) түрүндө кездешет. Кристалл&shy;дык кремний – тыгыздыгы  2,33 <i>г/см</i><sup>3</sup>, балкып эрүү t 1417°С  ж-а кайноо t 2600°С болгон катуу зат. Кремний  көп&shy;чүлүк бирикмелеринде IV валенттүү: SiH<sub>4</sub>, SiF<sub>4</sub>, SiO<sub>2</sub>, Si<sub>3</sub>N<sub>4 </sub>ж. б., II валенттүү да SiО боло алат. Кычкылтек  м-н  кремний  кош оксидин SiO<sub>2</sub>, оксидин SiO, галогендер м-н галогениддерди SiХ<sub>4</sub>, суу&shy;тек м-н силандарды Si<sub><i>n</i></sub>H<sub>2</sub><sub><i>n</i></sub><sub>+2 </sub>(жалпы форму&shy;ласы), металлдар м-н силициддерди – кыйын&shy;дык м-н эриген заттарды пайда кылат. Бөлмө температу расында майдаланган кремний м-н  фтор гана реак&shy;цияга кире алат: Si + 2F<sub>2 </sub>= SiF<sub>4</sub>. Кремний  хлор м-н  400–600°Cде, көмүртек ж-а азот м-н өтө жо&shy;горку температурада аракеттенет. Кадимки шартта кремнийге кислоталар таасир этпейт. Кремний    щелочтор м-н аракеттенип, суутекти ж-а силикаттарды пай&shy;да кылат: Si + 2NaOH + H<sub>2</sub>O = Na<sub>2</sub>SiO<sub>3 </sub>+ 2H<sub>2</sub>. Кремний кычкылтек м-н –Si–O–Si–O– сыяктуу узун чынжырларды пайда кылган туруктуу бирик&shy;мелери кеңири таралган. Мисалы, табигый ж-а синтез жолу  м-н алынган силикаттар. Анын мо&shy;лекуласында ар бир кремний  атому төрт кычкылтек атому м-н жөнөкөй байланыш түзөт. Ошол эле учурда ар бир кычкылтек атому кремнийдин эки ато&shy;му м-н байланышат. Натыйжада полимердик түзүлүштөгү химиялык  бирикме – SiO<sub>2 </sub>пайда болот. Ал – кыйындык м-н эрүүчү, кадимки шартта катуу зат. Кремнийдин 95–98% техникалык  түрү арзан сырьё –кремнезёмду (SiO<sub>2</sub>) жогорку темп-рада көмүртек м-н калыбына келтирүүдөн алынат: SiO<sub>2</sub>+2C =Si+2CO. Ал эми өзгөчө таза кремний алуу үчүн техникалык кремний жеңил учма бирикмелерге SiCl<sub>4</sub>, SiI<sub>4 </sub>ж. б. өткөрүлөт да, бир нече жолу буулантуу ж-а муз&shy;датуудан кийин тазаланган бирикме жогорку температурада суутек же чаң түрүндөгү цинк м-н калыбына келтирилет. Кремний жарым өткөргүч тех&shy;никада, электроникада, электр-техникасында негизги материал катары кызмат кылса, күн ба&shy;тареясы катары космос кемелерин электр энер&shy;гиясы м-н камсыз кылат. Чоюн ж-а болотко алардын механикалык  касиеттерин жакшыртуу үчүн ко&shy;шулат. Карборунддан SiC жасалган кайрак таштар катуулугу огюнча алмаздан кийин турат. Кремнийдин оргганикалык  бирикмелеринен жасалган мате&shy;риалдар жогорку температурага чыдамдуу, электр изолятору катары суу чөйрөсүндө да мыкты ка&shy;сиеттерге ээ. Кремнийдин органикалык бирикмелеринен алын&shy;ган майлоочу майлар өтө жогорку ж-а  өтө тө&shy;мөнкү температурада баштапкы касиеттерин өз&shy;гөртпөстөн сактап калат. Мындай майлар – 20–30 <i>км</i> бийиктикте учкан реактивдүү самолёттор&shy;дун кыймылдаткычтарын майлоо үчүн алмаш&shy;кыс материал.



10:34, 29 Апрель (Чын куран) 2026 -га соңку нускасы

КРЕ́МНИЙ (лат. Silicium), Si – элементтердин мезгилдик системасынын IV тобунда жайгашкан химиялык элемент, атомдук номери 14, атомдук массасы 28,086. Табиятта үч изотоптун аралашмасынан турат: 28Si, 29Si жана 30Si. Кремнийдин майда күкүмдөрү боз, ири крис­таллдары күңүрт кара. Табиятта таралышы боюнча 2-орунда (кычкылтектен кийинки) турат. 1825-ж. Берцелиус фтордуу кремнийди SiF4 калий менен калыбына келтирүүдөн жаңы элемент ачып, аны силиций деп атаган. Жер кыртышындагы кремнийдин 12%и SiO2 – кремнезём, 75%и татаал кычкыл­тектүү бирикмелери (чопо, талаа шпаты, сла­нец, слюда ж. б.) түрүндө кездешет. Кристалл­дык кремний – тыгыздыгы 2,33 г/см3, балкып эрүү t 1417°С ж-а кайноо t 2600°С болгон катуу зат. Кремний көп­чүлүк бирикмелеринде IV валенттүү: SiH4, SiF4, SiO2, Si3N4 ж. б., II валенттүү да SiО боло алат. Кычкылтек м-н кремний кош оксидин SiO2, оксидин SiO, галогендер м-н галогениддерди SiХ4, суу­тек м-н силандарды SinH2n+2 (жалпы форму­ласы), металлдар м-н силициддерди – кыйын­дык м-н эриген заттарды пайда кылат. Бөлмө температу расында майдаланган кремний м-н фтор гана реак­цияга кире алат: Si + 2F2 = SiF4. Кремний хлор м-н 400–600°Cде, көмүртек ж-а азот м-н өтө жо­горку температурада аракеттенет. Кадимки шартта кремнийге кислоталар таасир этпейт. Кремний щелочтор м-н аракеттенип, суутекти ж-а силикаттарды пай­да кылат: Si + 2NaOH + H2O = Na2SiO3 + 2H2. Кремний кычкылтек м-н –Si–O–Si–O– сыяктуу узун чынжырларды пайда кылган туруктуу бирик­мелери кеңири таралган. Мисалы, табигый ж-а синтез жолу м-н алынган силикаттар. Анын мо­лекуласында ар бир кремний атому төрт кычкылтек атому м-н жөнөкөй байланыш түзөт. Ошол эле учурда ар бир кычкылтек атому кремнийдин эки ато­му м-н байланышат. Натыйжада полимердик түзүлүштөгү химиялык бирикме – SiO2 пайда болот. Ал – кыйындык м-н эрүүчү, кадимки шартта катуу зат. Кремнийдин 95–98% техникалык түрү арзан сырьё –кремнезёмду (SiO2) жогорку темп-рада көмүртек м-н калыбына келтирүүдөн алынат: SiO2+2C =Si+2CO. Ал эми өзгөчө таза кремний алуу үчүн техникалык кремний жеңил учма бирикмелерге SiCl4, SiI4 ж. б. өткөрүлөт да, бир нече жолу буулантуу ж-а муз­датуудан кийин тазаланган бирикме жогорку температурада суутек же чаң түрүндөгү цинк м-н калыбына келтирилет. Кремний жарым өткөргүч тех­никада, электроникада, электр-техникасында негизги материал катары кызмат кылса, күн ба­тареясы катары космос кемелерин электр энер­гиясы м-н камсыз кылат. Чоюн ж-а болотко алардын механикалык касиеттерин жакшыртуу үчүн ко­шулат. Карборунддан SiC жасалган кайрак таштар катуулугу огюнча алмаздан кийин турат. Кремнийдин оргганикалык бирикмелеринен жасалган мате­риалдар жогорку температурага чыдамдуу, электр изолятору катары суу чөйрөсүндө да мыкты ка­сиеттерге ээ. Кремнийдин органикалык бирикмелеринен алын­ган майлоочу майлар өтө жогорку ж-а өтө тө­мөнкү температурада баштапкы касиеттерин өз­гөртпөстөн сактап калат. Мындай майлар – 20–30 км бийиктикте учкан реактивдүү самолёттор­дун кыймылдаткычтарын майлоо үчүн алмаш­кыс материал.

Ад.: Кремний и его сплавы. Екатеринбург, 2005.

А. Сүйүнбекова.